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专利名称: 张应力 LPCVD SiO2膜的制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110448748.4
申请日期: 2011-12-28
专利号: 201110448748.4
第一发明人: 尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢狄克
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201110448748.4
专利摘要:
其它备注: 先导中心
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