SOI MOS晶体管 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	SOI MOS晶体管
专利类别:	发明专利
申请号:	201210155387.9
申请日期:	2012-05-18
专利号:	201210155387.9
第一发明人:	李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201210155387.9
专利摘要:
其它备注:	硅器件中心

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