N型高效太阳能电池中一种制备p+型掺杂层与n+前表面场的方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	N型高效太阳能电池中一种制备p+型掺杂层与n+前表面场的方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201210323522.6
申请日期:	2012-09-04
专利号:	201210323522.6
第一发明人:	贾锐;张巍;陈晨;张代生;金智;刘新宇
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201210323522.6
专利摘要:
其它备注:	高频高压中心