用STI的拐角应力增强MOSFET性能 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	用STI的拐角应力增强MOSFET性能
专利类别:	国际专利
申请号:	PCT/CN2012/000403
申请日期:	2012-03-29
专利号:	9,356,025
第一发明人:	朱慧珑;骆志炯;尹海洲
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	9,356,025
专利摘要:
其它备注:	十室

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