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专利名称: 高电子迁移率晶体管的制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201210343034.1
申请日期: 2012-09-14
专利号: 201210343034.1
第一发明人: 包琦龙;邓坚;罗军;赵超
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201210343034.1
专利摘要:
其它备注: 十室
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