栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件
专利类别:	发明专利
申请号:	201210246582.2
申请日期:	2012-07-16
专利号:	201210246582.2
第一发明人:	杨红;马雪丽;王文武;韩锴;王晓磊;殷华湘;闫江
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201210246582.2
专利摘要:
其它备注:	十室