栅电极的形成方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	栅电极的形成方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201210309498.0
申请日期:	2012-08-27
专利号:	201210309498.0
第一发明人:	钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201210309498.0
专利摘要:
其它备注:	十室

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