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专利名称: 双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201210501985.7
申请日期: 2012-11-29
专利号: CN201210501985.7
第一发明人: 骆志炯;尹海洲;朱慧珑
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: CN201210501985.7
专利摘要:
其它备注: 十室
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