形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201210500533.7
申请日期:	2012-11-29
专利号:	201210500533.7
第一发明人:	许高博;徐秋霞
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201210500533.7
专利摘要:
其它备注:	十室