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专利名称: 一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201310414069.4
申请日期: 2013-09-12
专利号: 201310414069.4
第一发明人: 史敬元;金智;麻芃;张大勇;彭松昂
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201310414069.4
专利摘要:
其它备注: 高频高压中心
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