当前位置 首页 科研工作 科研产出 专利
专利名称: 一种宽禁带功率器件场板的制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201310567092.7
申请日期: 2013-11-14
专利号: 201310567092.7
第一发明人: 刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201310567092.7
专利摘要:
其它备注: 高频高压中心
中国科学院微电子研究所版权所有 邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1