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专利名称: 一种SiC肖特基二极管及其制作方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201310580966.2
申请日期: 2013-11-18
专利号: 201310580966.2
第一发明人: 刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201310580966.2
专利摘要:
其它备注: 高频高压中心
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