专利名称: 半导体器件制造方法
专利类别: 国际专利
申请号: 14/725,496
申请日期: 2015-05-29
专利号: 9,337,102
第一发明人: 殷华湘;秦长亮;马小龙;王桂磊;朱慧珑
实施情况: 授权
专利证书号: 9,337,102
其它备注: 先导中心