集成纳米结构的薄膜型MOS 气体传感器 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	集成纳米结构的薄膜型MOS 气体传感器
专利类别:	实用新型
申请号:	201620179891.6
申请日期:	2016-03-09
专利号:	201620179891.6
第一发明人:	明安杰;陈大鹏
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201620179891.6
专利摘要:
其它备注:	感知中心

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