中科院微电子所殷华湘研究员讲解“集成电路中的新器件”

　　2017年11月1日晚19时，中科院微电子所研究员殷华湘老师莅临我院主办的“集成电路新技术及应用”系列讲座，为国科大的学子带来了精彩的专题讲座“集成电路中的新器件”。

　　本次系列讲座由中国科学院大学微电子学院主办，共分为7个部分，内容涵盖了集成电路的设计、关键器件以及先进工艺等方面。主讲人均由来自于中科院微电子所得优秀导师担任。

　　殷华湘老师，中国科学院微电子研究所研究员，主要从事先进集成电路技术、新型氧化物传感器件的研究。迄今发表超过30余篇学术论文，进行10余次的国际学术报告，曾承担或参与的科研项目有：重大专项项目“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设等，目前拥有国内外专利申请100余项，其中美国专利超过30余项。

　　在本次讲座中，殷老师利用详细的数据和直观的曲线图以核心器件—MOS晶体管摩尔定律尺寸微缩、集成度、性能大幅提高为发展主线，分析了逻辑集成电路（IC）发展趋势；同时介绍了现今MOS晶体管的关键技术挑战，指出若要革新技术，便要提升性能、减少功耗。

　　殷老师指出，3D FinFET是兼容主流IC平面工艺的新器件，其技术已成为IC国际产业界的主流技术，但是国内目前落后2~3个技术代，老师教导我们新一代的年轻人要担负起集成电路器件发展的重担，用我们的勤奋和智慧缩小与国外的技术差距。

　　最后，殷老师总结到：环栅纳米线与高迁移率沟道新器件是Post-FinFET的主要发展方向，前者较为成熟，而后者仍然面临不少挑战；另外，Beyond Moore等新原理器件是IC突破晶体管能效发展限制的基本方式，但受技术限制，其综合性能指标目前相比最新硅基MOSFET仍具有较大差距。

　　在历时2个小时零20分钟的讲座中，殷老师详细的数据、形象的图表向同学们展示了各新型器件技术及优势，同学们纷纷表示收获颇多，感谢老师的传道受业解惑。