2011年9月8日至12日，第十一届等离子体注入和沉积国际会议（PBII&D）在哈尔滨召开，我所微电子设备技术研究室（八室）博士生刘杰在大会上作了题为《A Novel Method to Texture Silicon for Solar Cells》的报告，其论文《High efficiency black silicon solar cell with self-cleaning dual-scale textured surface》荣获本届会议优秀学生论文奖（优秀率2%）。
PBII&D是等离子体研究领域内的顶级国际会议。PBII&D 2011由哈尔滨工业大学主办，国内外参会代表400余人。与会代表分别围绕等离子体注入和材料表面处理、高功率脉冲磁控溅射及等离子体源、多功能薄膜、等离子体诊断理论和模拟等议题展开了讨论。
八室博士生刘杰在导师夏洋研究员的指导下，从2009年开始从事黑硅材料和太阳能电池方向的研究工作。刘杰在本届大会上对本课题组最近的工作进展做了报告，原创性地提出利用等离子体浸没离子注入（PIII）的方法制备黑硅材料。该方法制备的黑硅材料不但表面形貌能实现可控制备，而且反射率极低，利用该黑硅材料制造的太阳电池光电转换效率比传统工艺提高0.3%~0.5%。此方法有望替代传统湿法制绒技术应用于太阳能电池的大规模生产。由于研究工作的原创性、新颖性，报告受到了与会国内外代表的极大关注和好评，论文被评委本届会议的“The Excellent Student Paper”。
优秀学生论文奖证书
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