新加坡南洋理工大学Prof. Tan Cher Ming到微电子所交流

　　6月1日，新加坡南洋理工大学Prof. Tan Cher Ming到微电子所进行学术交流，并做题为“Physics of Electromigration in Today ULSI Interconnection”学术报告。微电子所三室李泠研究员主持交流会并致欢迎词，30余名科研人员及研究生参加了交流会。

　　报告中，Prof. Tan Cher Ming主要介绍了电迁移对超大规模集成电路可靠性的影响问题。他介绍到，由于集成电路技术节点的不断推进，电迁移的物理特性也发生变化，电子风力不再是唯一的驱动力，并且应用在黑色方程中也被证明是不准确的。他还介绍了“电迁移的基本物理特性和电迁移对电路性能的影响”、“分别采用实验和建模的方法显示不断变化的电迁移驱动力”以及“由于电迁移作用而修正后替代黑方程的模型来描述互连寿命”等问题。报告后，与会听众与Prof. Tan Cher Ming就电迁移在3D电路模型显示、模拟电路、数字电路、射频IC基本构建块中的影响的问题进行了交流讨论。

　　Prof. Tan Cher Ming 1984年毕业于新加坡国立大学，1987年和1992年在多伦多大学分别获得电气工程硕士学位和博士学位。在1996年加入南洋理工大学担任教员之前拥有10多年的电子行业经验。已经出版200多篇国际期刊和会议论文，并持有5专利和1项软件著作权。现任IEEE高级会员和IEEE电子器件学会的特聘讲师，IEEE纳米技术新加坡分会的创会主席，美国质量学会的高级会员，新加坡工程师学会会员，其主要科研领域包括互连可靠性的数值模拟，固态设备的可靠性，物理，固态设备的可靠性测试方法，固态故障分析故障，设备和系统的可靠性统计分析。