5月25日，驻纽约总领馆隆重举办2011年度“国家优秀自费留学生奖学金”颁奖仪式暨招待会。微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）08级毕业生管伟华，作为38名获奖者之一荣获了“2011国家优秀自费留学生奖学金”。
管伟华目前在耶鲁大学读博士4年级，专业是电子工程，2011年获得HHMI International Student Research Fellowships。2005至2008年在微电子所读硕士期间师从刘明研究员，针对前瞻的下一代非挥发性半导体存储器，他细致开展了以纳米晶浮栅存储器为代表的推进型方案和以阻变存储器为代表的革命型方案的研究，并在下一代非挥发性半导体存储器学科方向和领域的发展起到了引领带头作用，为阻变存储器和纳米晶存储器研究领域的后续研究奠定了坚实的基础。
“国家优秀自费留学生奖学金”由国家留学基金管理委员会于2003年设立，奖励我海外优秀在读博士生。评审工作由申请人所在领区和中国国内相关领域的专家按照“公开、公平、公正”的原则进行，最终选出获奖人员。
孙国祥总领事为管伟华颁发获奖证书和奖金
综合信息