8月27日,由日本株式会社爱发科主办、中国科学院微电子研究所协办的“2012年爱发科集团前沿技术研讨会”在中科院微电子所成功召开。会议研讨方向主要聚焦IGBT/SiC功率器件、TSV先进封装技术、NVM先进存储器技术、新型太阳能电池技术等半导体领域前沿新技术。
中科院微电子所副所长刘新宇在致欢迎辞时指出,希望通过此次研讨会,进一步加强中、日业界在相关研究领域的深入交流与广泛合作,促进微电子技术的升级与产业发展。日方主讲嘉宾爱发科集团半导体电子技术研究所邹弘纲所长、西岡浩室长、森川泰宏室长,爱发科集团电子机器事业部横尾部长、爱发科商贸(上海)有限公司曾正名副总经理分别就爱发科集团科研相关情况作了报告。中方主讲嘉宾中科院微电子所张杰研究员、于大全研究员、贾锐 研究员、吕杭炳副研究员就各自科研领域情况进行了报告。
在历时五个多小时的研讨会中,与会人员围绕半导体领域前沿新技术进行了热烈的讨论,进一步加强了中日双方在业界的业务沟通与技术交流,为日后开展多层次的合作空间打下了基础。
中科院微电子所、中科院半导体所、北京时代全芯有限公司、JGROUP公司、泰科天润公司、株洲南车时代电气股份有限公司等相关科研人员70余人参加了本次研讨会。
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