微电子所举办第一届全国“半导体数值仿真技术论坛”――抗辐照数值模拟技术专题

　　为促进我国半导体数值仿真领域的快速发展和相关学科间的交流与融合，围绕半导体数值仿真技术中存在的问题，搭建学术交流平台，展示成果，启迪思路，博采众长，合作攻关，8月23日，中国科学院微电子研究所成功举办了第一届全国“半导体数值仿真技术论坛”——抗辐照数值模拟技术专题。

　　此次论坛由微电子所主办，参会单位有航天五院511物资部、航天集团772所、西北核技术研究所、兰州近代物理所、原子能研究院、航天八院808所、中电24所、中电29所、西安电子科技大学、西安交通大学、北京师范大学和苏州珂晶达科技公司等12家单位，参会成员共计60多名业界专家。论坛由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室（一室）赵发展博士主持。

　　中科院微电子所硅器件与集成技术研究室（一室）主任韩郑生、科技处副处长熊伟致论坛开幕词，航天五院物资部可靠性总工程师于庆奎作《数值模拟在SER评估中的应用》报告，微电子所赵发展博士作《数值仿真在辐射效应分析中的历史与展望》报告，微电子所郑中山研究员作《Hspice在SEU机理研究中的应用及其它》报告，微电子所曾传滨博士作《激光脉冲单粒子效应测试影响因素研究》报告，苏州珂晶达科技公司的设计师贡顶和沈忱分别作了《应用geant4进行粒子模拟的一些考虑》和《SRAM芯片辐射效应分析实例》的报告。

　　会后，会议论文集还收录了来自西北核技术研究所研究员、中科院新疆理化所郭红霞研究员为本次论坛撰写的特邀报告《单粒子效应数值模拟的几点认识》。

　　通过此次论坛，业内专家充分探讨和交流了近年来国内外抗辐照数值模拟仿真技术在技术研发及应用方面的现状和创新，将富有积极性和创造性的意见和建议不断汇聚。未来，中科院微电子所也将通过不断提升技术能力和创新能力在中国半导体数值仿真技术领域继续发挥积极作用。