9月9日，意大利米兰理工大学副教授 Daniele Ielmini 应微电子所微细加工与纳米技术研究室（三室）主任刘明研究员邀请，到微电子所进行学术访问并作题为Resistive switching nanodevices: modeling, scaling and novel functionalities报告。
报告中，Daniele Ielmini教授讲述了双极型阻变存储器的阻变机制，并提出了在直流和交流条件下置位/复位的一种数学模型。他解释了互补型阻变允许自选择阻变存储器和多值存储单元（MLC）的操作，并介绍了由于RTN和变异性问题对阻变存储器比例减小的限制问题的解决方案以及电阻转变纳米器件的新计算方案。报告后，参会人员与Daniele Ielmini教授还就电阻转变存储器的具体问题展开了交流讨论。
Daniele Ielmini副教授的研究领域主要有新型纳米器件的设计与模型建立，尤其是在相变存储器和电阻转变存储器领域有较好的研究成果。其在2000年获得博士学位，并在英特尔和斯坦福大学担任博士后。获得了英特尔杰出研究奖（2013年），是IEEE高级会员（2009年）。他在IEDM（2008-09），IRPS（2005-08），SISC（2008-10）和INFOS（2011-13）担任技术委员会成员。
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