10月8日，日本东京工业大学Hiroshi Iwai教授到微电子所进行学术交流，做了题为Future of Nano CMOS Technology的学术报告。微电子所所长叶甜春主持交流会并致欢迎词，向 Hiroshi Iwai教授颁发“中国科学院微电子研究所荣誉研究员”证书。
报告中，Hiroshi Iwai教授介绍了CMOS未来发展前景、前端技术研究情况以及高k/金属栅极技术创新和新隧道材料III-V/Ge的最新进展等问题。他认为，虽然新兴技术制造的器件（如隧道结场效应晶体管，无结场效应晶体管，碳基场效应晶体管）正在增加，但难以取代Si-CMOS，并需要更长时间在未来的器件制造中给予实施。
报告后，与会听众与Hiroshi Iwai教授就纳米COMS器件、硅纳米线等行业关注的技术问题进行了热烈的学术讨论。
Hiroshi Iwai教授目前在日本东京工业大学前沿研究中心、电子和物理应用系担任教授，曾发表（含合作）1000多篇国际和400多篇国内期刊/会议论文，是IEEE资深会员和日本电气工程师学会和日本应用物理学会资深研究员，曾获J.J. Ebers奖、日本教育部科学技术奖等奖项。
叶甜春所长向Hiroshi Iwai教授（左）颁发聘书
学术报告会现场
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