7月3日，微电子所青促会小组举办2015年第四期“微电子技术创新论坛”，邀请南开大学教授王卫超作了题为《高速电子器件材料III-V半导体表面和界面的氧化和钝化》的报告。微电子所科研人员、学生共30余人参加了交流会。交流会由所青促会小组组长毕津顺主持。
III-V族半导体被认为是有希望代替硅的沟道材料。近年来，关于III-V族半导体的研究备受重视。然而，迄今为止还没有真正意义的III-V族半导体集成电路问世，根本原因在于难以形成高质量的高介电氧化物/III-V族半导体界面。粗糙的界面被学术界和工业界认为是造成沟道载流子散射的直接原因，也成为整个高速电子器件发展的瓶颈所在。
王卫超介绍了南开大学在III-V族材料表面和界面的原子、电子结构的研究工作。其所在的研究团队通过分析III-V族半导体表面氧化过程，深入理解费米能级钉扎机制，探索出表面钝化去除钉扎的方案，在此基础上，进一步探索界面稳定性能、界面能带台阶、电子态与界面成键的关系，从理论上调节界面成键以优化界面性能，为实现III-V族半导体材料在高速电子器件中的实际应用提供理论依据。与会人员就III-V半导体材料、器件、表面和界面以及第一性原理等相关技术问题与王卫超进行了交流。
王卫超现任南开大学教授、博士生导师，2011年获德州大学达拉斯分校材料与工程系博士学位，近三年共发表学术论文38篇。
交流会现场
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