10月19—21日，微电子所硅器件与集成研发中心科研人员应邀参加2015年电子元器件辐射效应国际会议（ICREED-2015）。
ICREED会议主要涉及辐射环境下电子材料、器件及系统的辐射损伤效应和机理、加固工艺、加固设计及评价技术，是相关领域具有重要影响力的国际会议。本次会议邀请了美国、德国、俄罗斯、意大利、乌克兰、欧洲空间局及国内著名空间辐射效应专家作特邀报告。
本次会议，微电子所共提交了5篇学术论文，内容涵盖SOI电路和VDMOS器件相关可靠性、辐照效应和加固技术等领域。与会期间，微电子所科研人员通过会议演讲、海报、展板和研讨交流等方式介绍了微电子所在高可靠集成电路技术领域的科研进展和取得的成绩，并与国内外参会专家进行了深入沟通和探讨，进一步拓展了国际视野，提升了微电子所科研工作的国内外影响力。
参会人员合影
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