3月17日，美国德克萨斯农工大学教授Yue Kuo来微电子所访问交流。交流活动由微电子所微电子重点实验室主任刘明院士主持。科研人员、研究生共40余人参加了交流活动。
Yue Kuo作了题为“Research from Giga to Nano to Optoelectronics with Breakthroughs along the Path”的学术报告，指出金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和薄膜场效应晶体管（TFT）是目前半导体产业两个主要的固态器件。前者遵循摩尔定律的发展，尺寸缩小至纳米尺度；后者具备集成为高密度、大面积阵列的优势。两者具有相同的工作原理，面临着共同的挑战。他讲解了纳米电子和极大电子基于相似的物理和化学原理，介绍了所在实验室取得的基于等离子体薄膜沉积技术、High-K电介质的MOSFET和TET研究成果。
Yue Kuo获美国哥伦比亚大学硕士、博士学位，曾在IBM T. J. Watson研究中心和硅谷从事半导体技术研究近20年，1998年至今任美国德克萨斯州农工大学教授，创建了著名的薄膜微纳电子学研究实验室，致力于ULSI和TFT的器件、材料及工艺研究。荣获美国电化学学会电子学和光子学奖、10项IBM技术和发明奖，发表期刊论文350多篇。
交流会现场
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