微电子所博士后刘邦武《硫掺杂黑硅制备和表征》论文荣获第七届中国功能材料及其应用学术会议优秀论文奖

　　10月15日至18日，第七届中国功能材料及其应用学术会议在长沙召开，中科院微电子所微电子设备技术研究室(八室)博士后刘邦武在大会上作了题为《黑硅制备及光伏应用研究进展》的报告，其论文《硫掺杂黑硅制备和表征》荣获本届会议优秀论文奖。

　　黑硅是一种革命性的新型电子材料，和常规的硅材料相比它具有超强的吸收光线的能力。如果把这种材料应用于传感器上会提高上百倍感光效率，也可将太阳能电池转换效率大大提高。因此，黑硅将对超灵敏传感器、光伏电池等技术产生深远的影响，也可能会改变数字摄影、夜视仪设备的未来。

黑硅表面扫描电子显微镜照片

黑硅的反射率随波长变化曲线

　　微电子所微电子设备技术研究室博士后刘邦武在导师夏洋研究员的指导下，从2009年开始从事黑硅材料方面的研究工作。在导师和课题组成员的大力支持下，利用课题组自行研制的等离子体浸没离子注入机制备了多种形貌的黑硅材料，在可见光波段黑硅的平均反射率为0.5%，与飞秒激光制备黑硅的反射率相当。与飞秒激光相比，等离子体浸没离子注入工艺制备黑硅，设备成本低廉，生产效率高，有望应用于太阳能电池的大规模生产。

　　由于刘邦武的研究工作具有世界原创性、新颖性、重要性的特点，其报告受到了第七届中国功能材料及其应用学术会议与会专家的高度评价，经过专家的评审和推荐，其论文被评为会议优秀论文。