6月8日，北京航空航天大学赵巍胜教授应邀到微电子所做学术交流，并作了题为《自旋存储器最新进展》的报告。微电子所科研人员、研究生共30余人参加了交流会。
赵巍胜在报告中介绍了自旋磁存储器国际行业产业现状及研究进展，指出使用自旋电子的自旋属性设计新型器件，是降低半导体技术发展中功耗的关键技术之一，未来10年STT-MRAM将有可能代替Static RAM及Dynamic RAM。在国外，传统的磁存储器已批量应用于高可靠性电子系统，并产生了良好的经济和社会效益。在国内，由于材料、器件制备、电路设计及系统级整合等挑战，STT-MRAM产业化的步伐一直滞后。赵巍胜详细介绍了当前广泛关注的基于界面垂直磁各向异性的STT-MRAM所面临的挑战与机遇。与会人员就自旋存储器及相关技术问题与赵巍胜进行了交流。
赵巍胜现任北京航空航天大学自旋电子交叉学科研究中心主任、法国国家科学研究中心终身研究员，长期从事自旋电子学、新型信息器件、非易失存储器等领域的交叉研究，出版学术专著2部，发表论文200余篇，在自旋电子领域申请专利40余项。
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