台积电发布全新7纳米制程技术与英特尔竞逐摩尔定律进程

　　据海外媒体报道，即使近年摩尔定律(Moore’sLaw)进展速度趋缓，但全球各家芯片制造商仍持续开发新一代制程技术。在12月3~7日于美国举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，台积电宣布以其最新版3D FinFET电晶体，可用于生产更新一代智能手机及其他移动装置处理器的首个全新7纳米制程技术，借此正式加入全球7纳米制程技术竞争战场，并彰显其较英特尔(Intel)更快的制程技术进展，显示晶圆代工厂具备的技术优势。　　 

　　根据科技网站ZD Net及EE Times报导，台积电为了展示7纳米制程技术，在会议中介绍一款由7纳米制程生产的全功能256MB SRAM测试芯片，据称该芯片存储器细胞(Memory Cell)尺寸仅0.027平方微米，可提供相较于现有16纳米FinFET制程高达4成的性能速度提升，以及高达65%的功耗节省。　　 

　　台积电7纳米制程技术采用当前的193纳米浸润式微影技术(Immersion Lithography)，与三星、Global Foundries以及IBM等竞争业者宣布的7纳米制程技术，是采用新型态极紫外光微影技术(EUV)有所差异。有鉴于EUV技术至少要等到2018~2019年以后才可能见到量产就绪，因此要等到EUV技术成熟问世可能仍需一段时间，不过EUV具备成本降低等优势。 

　　值得注意的是，台积电7纳米制程技术并非与目前最新的10纳米制程技术做比较，而是与16纳米进行规格比较，这意谓台积电等于一次跳了2个甚至3个制程世代达7纳米技术水准。台积电在会中也透露，该公司7纳米制程SRAM良率已达50%，外媒分析称这是值得注意的成就。　　 

　　外界多半认为10纳米只是一个寿命短的过渡制程技术，目前三星电子(Samsung Electronics)已开始以10纳米制程量产，首款10纳米处理器可能将于2017年初发布；Global Foundries计划直接跳过10纳米，直攻7纳米制程技术，并计划将从2018年初开始进行7纳米制程风险生产。　　 

　　台积电则计划从2016年第4季开始采10纳米制程技术量产，预计2017年底才会见到7纳米制程导入生产，台积电强调，该公司正将重心放在协助客户尽速面向市场推出7纳米芯片产品。　　 

　　由此快速的制程技术进展步伐，也意谓晶圆代工厂商已在半导体制程技术上取得技术领先优势，如英特尔已延后10纳米生产进程，并预计2017年底以后才会发布首款桌上型电脑(DT)处理器“Cannonlake”。作为此进程延后下的过渡权宜策略，英特尔改发布采14纳米制程的KabyLake处理器。　　 

　　另外，虽然ASML的EUV系统至今仍仅在量产前的发布阶段，不过台积电已宣布自有5纳米制程节点将开始采用EUV技术。