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微电子所在光刻胶模型校准研究方面取得重要进展

稿件来源:EDA中心 马乐 发布时间:2024-04-24

近期微电子所EDA中心计算光刻团队与腾讯量子实验室,围绕光刻胶模型校准的合作研究取得了重要进展。

针对当前光刻胶模型校准难题,团队通过深入的理论和实验研究,结合具体工艺条件,开发了基于机器学习的光刻胶模型校准贝叶斯优化方法。该方法能够有效利用历史数据对高斯代理模型的训练,同时结合其它全局优化策略,稳定提升光刻胶模型的精确性并提高模型校准效率。实验数据表明,新方法校准的光刻胶模型误差比传统方法降低了21.6%,耗时降低了80%以上。

本成果发表在期刊OPTICS EXPRESS上(DOI: 10.1364/OE.518770)。微电子所马乐为第一作者,董立松副研究员和韦亚一研究员为共同通讯作者。腾讯量子实验室的马星宇、郝少刚为共同作者。

本次合作研究旨在研究人工智能、机器学习在计算光刻领域的应用,提高光刻胶模型准确性和效率,进而提高良率、推动半导体制造技术的发展。双方将继续紧密合作,致力于推进计算光刻仿真的研究。将继续探索新的方法和技术,为计算光刻在半导体制造行业的应用创造更多的可能性。

腾讯量子实验室于2018年初创建于深圳,着眼于计算科学研究布局,探索先进计算科技的发展,关注未来技术的商业应用实践,为提升企业运营效率及效益提供技术助力。

文章链接:https://doi.org/10.1364/OE.518770

图(a)光刻曝光条件和测试图形;(b)在两次实验中各方法的耗时;(c)在训练集和测试集的误差分布

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