研究纳米尺度半导体器件物理模型和快速稳健的数值算法，开发自主TCAD仿真工具。发展前沿量子输运计算方法，研究全量子物理计算方法与半经典物理计算方法的多物理模型混合仿真技术。探索机器学习在器件物理模型和TCAD数值仿真中的应用。基于自主TCAD工具开发集成电路先进工艺节点FDSOI, FinFET, NanosheetFET等器件，以及SRAM, DRAM, NAND等单元电路仿真解决方案。
研究成果：
与国内外知名研究机构和科技公司合作开展工艺器件物理模型与TCAD工具研发。开发基于结构演化的3D虚拟工艺整合模型和TCAD原型工具。提出多种新型电路单元设计和工艺集成实现方案。开发三维有限元数值迭代求解技术，纳米线晶体管经典漂移扩散方程-泊松方程组求解结果与商业软件吻合。开发了原子尺度量子输运计算优化算法，支持大于50000原子规模器件全量子效应仿真。已申请软件著作权1项，发明专利3项。与国内集成电路制造企业建立紧密技术合作关系，基于自主TCAD仿真技术建立应用解决方案，进行技术转移。
