研究内容：
★ 研究面向先进技术节点的刻蚀、沉积等工艺的物理模型，反映设备工艺参数、衬底几何形貌等对器件结构微观尺寸的影响；研究原子尺度工艺仿真的分子动力学方法；
★ 研究人工智能驱动的工艺仿真模型，实现器件结构的快速预测和工艺参数的快速优化；研究基于机器学习的刻蚀邻近效应修正模型，提升计算光刻版图优化效果；
★ 开发满足业界需求的全流程工艺仿真工具，面向逻辑器件（FinFET/GAA）、存储器件（DRAM）、显示器件（OLED/TFT）等领域的头部企业进行技术转移。
研究成果：
开发了面向头部企业应用的刻蚀、沉积工艺物理模型仿真工具：PECVD工艺仿真软件具备任意衬底结构的薄膜沉积形貌仿真功能，在京东方OLED G6代线完成验证和应用，仿真精度达到产线要求；ALE先进刻蚀工艺仿真软件具备环栅（GAA）晶体管Si/SiGe叠层结构横向刻蚀仿真功能，与华为合作完成验证。
