美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）和韩国韩国首尔Viosys一直在探索缩小绿色和蓝色氮化铟镓（InGaN）微发光二极管（LED）直径带来的影响。由于器件表面的非辐射复合，LED的外部量子效率（EQE）随着尺寸的减小而降低。

　　UCSB 和Viosys团队发现蓝色设备受到的影响明显，但是绿色LED较小。就峰值EQE值而言，两种器件在10-30μm直径范围内均具有相当稳定的性能，在LED直径小于10μm的情况下，绿色设备比蓝色设备的效率更高。这种交叉现象非常显着，因为块状绿色InGaN材料的内部量子效率（IQE）低于蓝色。

　　与标准的商用铝镓铟磷化物（AlGaInP）产品相比，红色InGaN LED可能具有类似的直径交叉效应。研究发现红色AlGaInP的表面复合速度（SRV）甚至高于蓝色InGaN，而低于绿色InGaN的SRV。因此，很可能在红色的AlGaInP和红色的InGaN微型LED之间存在类似的EQE交叉，其中InGaN器件将以较小的尺寸胜出。

　　研究发现随着直径减小到5μm，蓝色LED的EQE下降，但在1-5μm范围内保持大致相同的水平。相比之下，绿色LED在整个1-30μm的直径范围内表现出较小的性能下降。

　　蓝色器件也显示出向峰值EQE值的电流密度增加的转变。同样，绿色LED峰值电流密度显然不受影响。

　　研究人员将载流子定位作为直径较小的绿色LED的较高峰值EQE的可能解释。由于载流子被俘获/局域化，因此它们不太可能传播到LED表面，从而避免了一条通往非辐射复合的途径。

　　原文题目：Micro-scaling of indium gallium nitride blue and green light-emitting diodes

　　原文来源：http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/mar/ucsb-260320.shtml