航天产品的质量和寿命取决于产品设计、研制生产和试验测试全流程的可靠性，而集成电路安全可靠是航天电子系统在轨稳定工作的基础。现代集成电路制造流程中，工艺制造和设计环节均可引入芯片缺陷，在使用过程中可导致失效等。随着芯片集成度的提高，芯片正面的金属互连层不断增加，倒封装工艺得到广泛应用，从芯片正面定位缺陷位置变得愈发困难。目前，利用激光从背部开封装的芯片进行的非接触式无损缺陷定位技术，在集成电路静态/动态缺陷定位领域得到广泛应用。热激光定位（TLS）和电光频率映射（EOFM）是两种典型的非接触式缺陷定位技术。TLS利用激光热效应对半导体器件材料进行局部加热，改变其电阻特性，实现静态缺陷定位。EOFM利用器件内部处于不同动态工作状态晶体管与入射激光的电光调制效应，通过接收反射光信号对电路进行频域图像分析，实现动态缺陷定位。随着集成电路工艺的飞速进步，对缺陷分析定位的速度和灵敏度要求不断提升，相应的TLS和EOFM理论模型和技术手段需要不断优化发展，亟须发展该领域自主可控的测试装置。