集成电路史上最著名的10个人

晶体管的发明人

晶体管是集成电路的基本，没有晶体管的发明，就不可能发明集成电路，因此我们把肖克莱、巴丁和布拉顿三人放到集成电路发展史中传奇人物第一位。

肖克利、巴丁和布拉顿

集成电路之父

杰克？基尔比（Jack Kilby，1923年11月8日－2005年6月20日）。1958年，34岁的基尔比加入德州仪器公司。

杰克？基尔比(Jack S. Kilby)

1958年9月12日，基尔比研制出世界上第一块集成电路，成功地实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想，并通过了德州仪器公司高层管理人员的检查。请记住这一天，集成电路取代了晶体管，为开发电子产品的各种功能铺平了道路，并且大幅度降低了成本，使微处理器的出现成为了可能，开创了电子技术历史的新纪元，让我们现在习以为常一切电子产品的出现成为可能。

伟大的发明与人物总会被历史验证与牢记，2000年基尔比因为发明集成电路而获得当年的诺贝尔物理学奖。这份殊荣，经过四十二年的检验显得愈发珍贵，更是整个人类对基尔比伟大发明的充分认可。诺贝尔奖评审委员会的评价很简单：“为现代信息技术奠定了基础”。

科学、商业双料巨人

罗伯特？诺伊斯，“八叛逆”　之一。他是一位科学界和商业界的奇才。他在基尔比的基础上发明了可商业生产的集成电路，使半导体产业由“发明时代”进入了“商用时代”。同时，还共同创办了两家硅谷最伟大的公司：一个是曾经有半导体行业“黄埔军校”之称的-仙童(Fairchild)公司，一个是当今世界上最大设计和生产半导体的科技巨擎英特尔公司。

罗伯特？诺伊斯(Robert Noyce)

一个人同时置身科学界和企业界，最终还能功德圆满，实属罕见，而诺伊斯却做到了，他已经成为半导体工业的象征人物，人们尊敬的称他为：“硅谷市长”。这位“硅谷市长”的成就也成为半导体行业工程师日夜奋斗的目标。

奠定了硅作为电子产业中关键材料的地位

琼？赫尔尼，“八叛逆”　之一。1924年出生于瑞士，分别在剑桥大学和日内瓦大学取得博士学位。

琼？赫尔尼(Jean Hoern)

1952年， 移居美国在加州理工大学工作，受到威廉·肖克利赏识，几年后加入肖克利半导体公司，然而受不了肖克利的家长制作风，1957年9月，包括琼·赫尔尼在内的八个骨干工程师从肖克利半导体公司辞职。肖克利在震惊之余极其愤怒，称他们为“八个叛逆。”这八个叛逆后来对硅谷的发展起了极其重要的影响。他们组建了仙童公司（Fairchild），1959年，Jean Hoerni发明了平面工艺使用一种叫做光学蚀刻的处理方法，这种方法有些类似于利用底片冲洗照片的过程。开始，他用的是一片锗或硅。然后他在上面喷洒上一层叫做光阻剂的物质。如果你把光照在上面，光阻剂就会变得坚硬，然后你就可以用一种特殊的化学药品清除掉没有被光照射到的光阻剂。所以，赫尔尼就创造了一个光罩，它就像一张底片，上面有一簇小孔，用来过滤掉不清洁的东西，然后让它在光线中翻动。在化学洗涤之后，金属板上只要是留下光阻剂的地方，杂质就不会散落到下面。来解决平面晶体管的可靠性问题，因而使半导体生产发生了革命性的变化。堪称为“20世纪意义最重大的成就之一”，并称其奠定了硅作为电子产业中关键材料的地位。

一个人一个行业的定律

戈登？摩尔“八叛逆”　之一。1929年1月3日，戈登·摩尔出生在距离旧金山南部的一个小镇。

戈登？摩尔(Gordon Moore)

1954年获物理化学博士学位，1956年同诺伊斯一起创办了传奇般的仙童(Fairchild)公司，主要负责技术研发。1968年在诺伊斯辞职后，戈登·摩尔跟随而去一起创办了Intel,1975年成为公司总裁兼CEO。

微处理器之王狂妄的匈牙利人

“Only the paranoid survive.”只有偏执狂才能生存。说这句话正是安迪·格罗夫。

安迪？格罗夫(Andy Grove)

还记得没有电脑之前的生活吗?可以这样说，没有英特尔的微处理器，就算一万个年少轻狂才华横溢的比尔·盖茨也无济于事。从1987年接过英特尔的CEO接力棒之后，他不断以打破传统、挑战现有逻辑的战略思维，使微处理器这颗数字革命的心脏强劲跳动，为数字时代

提供源源不断的动力。同样地，没有安 迪·格罗夫，也就没有今天最成功的半导体公司英特尔。

FinFET等多种新结构器件的发明人

1947年出生于北京豆芽菜胡同，学术生涯始于加州大学伯克利分校。1973年在伯克利获得博士学位，并一直从事半导体器件的开发及微型化研究。

胡正明

胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。

作为顶级半导体专家，胡正明教授贡献卓著，他是IEEE Fellow、美国工程院院士、中国工程院外籍院士。在台积电担任CTO时获得“台湾第一CTO”的雅号。但胡正明是一位真正的隐世高人，淡泊名利，一生都奉献给了最热爱的半导体产业，并且无怨无悔，用他自己的话说“如果我今天要重新再选一行的话，我还是会选半导体这一行”。2010年后，持续数十年的Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头，胡教授在20年前开始探索并发明的FinFET和FD-SOI工艺，成为半导体产业仅有的两个重要选择。因为他的两个重要发明，摩尔定律在今天得以再续传奇。

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