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微电子所在《中国科学：国家科学评论》发表关于先进CMOS集成电路新结构晶体管的综述论文
2024-06-14
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是推动大规模CMOS集成电路按照“摩尔定律”持续微缩并不断发展的核心器件。近十几年,为突破更小技术节点下的微缩挑战,晶体管结构创新成为了技术发展的主要路径,从平面晶体管演进到鳍式场效应晶体管,再到最新3nm技术节点下的堆叠纳米沟道全环绕栅极FET(GAAFET),通过晶体管内部沟道...
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微电子所在面向存内计算的多比特2T0C DRAM研究中取得重要进展
2024-01-11
为解决现代计算系统中（如云计算和人工智能）的“内存墙”带宽局限、高效计算瓶颈和制造工艺尺寸微缩等问题，一种结合新型非晶态氧化铟镓锌（IGZO）薄膜材料的无电容（2T0C）DRAM结构，有望取代传统1T1C DRAM成为关键性的新兴技术路线。目前，大量研究工作集中于通过器件结构和工艺优化来提升IGZO 3D DRAM的保留时间和操...
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微电子所垂直纳米环栅器件研究又获突破
2023-11-24
在先进集成电路制造工艺中, 纳米环栅器件（GAA）正取代FinFET成为集成电路中的核心器件。垂直纳米环栅器件由于其在减小标准单元面积、缓解栅极长度限制、提高集成密度和改善寄生电容/电阻等方面具有独特优势, 成为先进逻辑和DRAM技术方面的重要研究方向。微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究团队于2016年首次提...
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微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展
2023-10-16
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（ Stacked Nanosheets GAA FET ）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（ FinFET ） ，从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求， GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（ Ion ）严重失配和阈值电压（ Vth ）调控困难等关键挑战，对纳米...
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微电子所在新型垂直互补场效应晶体管（CFET）结构设计与仿真研究方面取得进展
2022-07-15
垂直堆叠纳米线/纳米片全包围栅（ Gate All Around , GAA ）互补场效应晶体管（ Complementary Field Effect Transistor ， CFET ） ，将不同导电沟道类型（ N-FET和P-FET ）的GAA器件在垂直方向进行高密度三维单片集成。相较于现有主流FinFET与水平GAA晶体管集成电路工艺， CFET突破了传统N/P - FET共平面布局间距的尺...
集成电路创新技术