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微电子所在面向存内计算的多比特2T0C DRAM研究中取得重要进展
2024-01-11
为解决现代计算系统中（如云计算和人工智能）的“内存墙”带宽局限、高效计算瓶颈和制造工艺尺寸微缩等问题，一种结合新型非晶态氧化铟镓锌（IGZO）薄膜材料的无电容（2T0C）DRAM结构，有望取代传统1T1C DRAM成为关键性的新兴技术路线。目前，大量研究工作集中于通过器件结构和工艺优化来提升IGZO 3D DRAM的保留时间和操...
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微电子所垂直纳米环栅器件研究又获突破
2023-11-24
在先进集成电路制造工艺中, 纳米环栅器件（GAA）正取代FinFET成为集成电路中的核心器件。垂直纳米环栅器件由于其在减小标准单元面积、缓解栅极长度限制、提高集成密度和改善寄生电容/电阻等方面具有独特优势, 成为先进逻辑和DRAM技术方面的重要研究方向。微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究团队于2016年首次提...
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微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展
2023-10-16
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（ Stacked Nanosheets GAA FET ）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（ FinFET ） ，从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求， GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（ Ion ）严重失配和阈值电压（ Vth ）调控困难等关键挑战，对纳米...
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微电子所在新型垂直互补场效应晶体管（CFET）结构设计与仿真研究方面取得进展
2022-07-15
垂直堆叠纳米线/纳米片全包围栅（ Gate All Around , GAA ）互补场效应晶体管（ Complementary Field Effect Transistor ， CFET ） ，将不同导电沟道类型（ N-FET和P-FET ）的GAA器件在垂直方向进行高密度三维单片集成。相较于现有主流FinFET与水平GAA晶体管集成电路工艺， CFET突破了传统N/P - FET共平面布局间距的尺...
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微电子所垂直沟道纳米晶体管研发工作再获重要突破
2022-08-17
垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等天然优势，在1纳米逻辑器件/10纳米DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。对于高性能垂直单晶沟道纳米晶体管，现阶段控制沟道尺寸最好方法是采用先进光刻和刻蚀技术，但该技术控制精度有限，导致器件性能波动过大，不能满足...
集成电路创新技术