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微电子所在新型垂直纳米环栅器件研究中取得突破性进展
2019-12-09
垂直纳米环栅晶体管是集成电路2纳米及以下技术代的主要候选器件，但其在提高器件性能和可制造性等方面面临着众多挑战。在2018年底举办的国际集成电路会议IEDM上，来自IMEC的Ryckaert博士1将垂直纳米器件的栅极长度及沟道与栅极相对位置的控制列为关键挑战之一。朱慧珑课题组系统地研发了一种原子层选择性刻蚀锗硅的方法...
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微电子所在先进Co互连阻挡层研究领域取得进展
2020-06-17
近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在先进Co互连阻挡层研究领域取得了阶段性进展。目前， W和Cu被广泛应用于互连线中，但随着互连线的线宽不断减小，电子表面散射与晶界散射会使得互连线电阻率受尺寸效应影响迅速增大。针对先进Co互连，课题组采用Co 、 Ti靶材共溅射方法制备了非晶CoTi...
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STT-MRAM器件与集成技术研究
2020-05-29
近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。课题组联合北航赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8 吋 CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块，在国内首次实...
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负电容环栅纳米线晶体管-电路仿真研究
2020-06-02
摩尔定律推动了持续50年的集成电路的发展，然而，时至今日，由于物理极限的限制，晶体管的进一步微缩已经举步维艰。为了进一步增加集成电路性价比，一些基于新原理、新材料、新工艺的晶体管不断被提出，其中负电容场效应晶体管是近年来被广泛研究的对象之一。负电容晶体管可以克服“玻尔兹曼热限制” ，即在室温下突破亚...
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硅工艺兼容的超短栅长二硫化钼晶体管研制
2020-05-26
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在新型二维材料器件面向未来集成电路集成应用研发中取得重要进展，结合硅基FinFET工艺成功研制出10nm超短物理栅长二硫化钼晶体管，实现电流开关比达到107 。二维半导体材料具有原子级的厚度，被用作晶体管的沟道材料时，可提高栅电极控制沟道中载流子传输的能力，...
集成电路创新技术