集成电路创新技术

微电子所在新型硅基环栅纳米线MOS器件研究中取得重要进展

2018-04-24

近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线（ Gate-all-around silicon nanowire ， GAA SiNW ） MOS器件的结构和制造方法研究上取得重要进展。针对上述纳米线晶体管架构在集成电路发展应用中所面临的难题，殷华湘研究员研发团队提出在主流硅基FinFET集成工艺基础...