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中科院微电子所与华为海思合作在无外磁场写入的自旋轨道矩磁隧道结器件的研究中取得新进展
2022-07-29
垂直自旋轨道矩磁隧道结器件（SOT-MTJ）是新一代磁随机存储技术的核心单元，它具有非易失、高速、低功耗、读写寿命长等特点，极有希望成为下一代非易失磁存储技术。但是垂直SOT-MTJ器件需要外磁场辅助才能实现定向写入。外磁场的引入会导致额外的功耗、面积消耗，并会导致串扰等问题。如何实现无外磁场下定向高速写入的S...
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微电子所在无外场单级电压控制SOT-MTJ自旋逻辑器件的研究中取得新进展
2022-08-18
自旋逻辑器件由于具有非易失性、低功耗以及易于小型化等优点，尤其是基于SOT的自旋逻辑器件具有高速、高耐久性，因而更加适合存内计算领域的应用，具有巨大的应用潜力。然而，目前报道的SOT逻辑器件大都是以双极性电信号的形式进行逻辑操作，需要额外的辅助电路对给定电信号进行转化从而完成逻辑操作（图1a ） ，导致该...
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微电子所在多模态铁电存算一体FinFET器件与单元电路研究上取得重要进展
2022-03-11
受制于传统冯诺依曼架构下“存储墙”问题，芯片的算力难以进一步提升，限制了大数据以及人工智能等新兴信息技术产业的发展。存内计算是非冯诺依曼架构下提高芯片算力的一种有效途径，基于铁电晶体管（ Fe-FET ）的存算融合电路由于具有低功耗、高CMOS兼容性以及无损读出等优点，被认为是极具潜力的一种存内计算的技术方...
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微电子所在集成电路先导工艺源漏接触技术研究方面取得新进展
2021-06-23
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在源漏接触技术研究方面取得重要进展。随着集成电路制造技术进入10纳米及以下节点，器件寄生电阻已超过沟道电阻使得器件延迟与功耗显著增大。阻率可降低源漏寄生电阻，对提升器件性能具有重要意义。提高Si表面杂质激活浓度（Ns）以有效增加接触界面的载流子隧穿概率，是减小接触...
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翻转90°的电子世界，微电子所新型GAA结构研究获进展
2021-06-04
中科院微电子所近期发表了先导工艺研发中心团队在垂直纳米环栅器件领域获得的最新进展，该类型器件通过在垂直方向构建晶体管结构，大大减少了器件占用面积，在3nm以下先进集成电路制造工艺领域极具应用潜力。针对器件样品，研究了VSAFET的特性，以及金属硅化物工艺、 Si-Cap 、沟道Ge含量和热处理过程等器件性能影响因素...
集成电路创新技术