平台介绍
国内一流的8英寸集成电路先导工艺平台，兼容硅基光子、MEMS器件研发,平台配备了电子束、光学光刻机、CMP、MOCVD等关键工艺设备，具有10纳米电子束光刻研发能力和130纳米光学光刻量产能力，具备了先进集成电路工艺研发支撑能力；配备了深槽刻蚀、VHF、厚膜CVD等关键工艺设备，具备MEMS传感器研发能力；配备了DUV光刻、Ge外延等关键工艺设备，具备0.18微米硅基光电无源/有源器件的MPW流片研发服务能力。
关键设备
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典型设备1：超低能离子注入机 功能用途：超低能离子注入 设备型号：VistaH CS 主要性能参数：0.5~60KeV；tilt 0~60；B/P/As |
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典型设备2：金属栅刻蚀机 功能用途：刻蚀多晶硅，单晶硅；W，TiN，HfO2 设备型号：ALLIANCE9400 主要性能参数：形貌陡直度82~90；对栅介质选择比>20:1 |
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典型设备3：电子束曝光机 功能用途：100 纳米以下图形光刻 设备型号：NBL4 主要性能参数：8寸，最小线条尺寸20nm，加速电压100KeV，套刻偏差小于50nm |
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典型设备4：等离子氮化系统 功能用途：快速退火 设备型号：Centur a 200 主要性能参数：栅氧和多晶硅；栅氧膜厚范围：8～200 Å， 膜厚均匀性：片内<1%， 片间<1%；多晶硅膜厚淀积范围：100～6000 Å，膜厚均匀性：片内< 1.5%，片间 <1% (doped &undoped) |
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典型设备5：等离子化学增强气相淀积 功能用途：等离子增强CVD沉积氧化硅，氮化硅 设备型号：Producer 200mm 主要性能参数： Chm1. Tensile/Compress Stress SIN DEP: 1. wafer TEMP <450 ℃ 2. Tensile SIN≧1.0 Gpa,Compressive SIN≧-2.2Gpa Chm2. PE OX,SIN,SION HM cap: 1. SIN RI 2.00 +/- 0.02 for 3000 Å,U%< 1.5 % 1 sigma 2. SION RI 1.75 +/- 0.02 ,U%< 1.5 % 1 sigma Chm3. HARP STI Ox,gap fill: 1. gap fill ok,AR>5:1,space100nm |
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典型设备6：快速热退火系统 功能用途：快速退火 设备型号：Centura 200 主要性能参数：热退火方块电阻均匀性：片内 <1.5%，片间 <1% |
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典型设备7：接触与互连溅射台 功能用途：PVD金属溅射 设备型号：Endura 200 主要性能参数： Ch1. Ti,thickness 20Å~5000Å,WIW NU <5%,WTW NU<5% Fill capbility: bottom coverage>40%@0.13um,AR 3.5:1, Asymmetry<2.5:1,Overhang<25% Chm2.TiN,thickness 20Å~5000Å,WIW NU <5%,WTW NU<5% Fill capbility>70%@0.13 um,AR 3.5:1,bottom coverage Asymmetry<2.5:1,Overhang<15% Chm3. Ni,NiPt thickness 50Å~1000Å,WIW NU <3%,WTW NU<3% Chm4.Al,thickness 100Å~3um,WIW NU <3%,WTW NU<3% |
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典型设备8：氧化硅/氮化硅刻蚀机 功能用途：刻蚀氧化硅/氮化硅等介质材料 设备型号：Alliance Exelan HPt 主要性能参数：形貌陡直度82~90；SiO2刻蚀对SiN选择比>15:1，SiN刻蚀对氧化硅选择比>5:1 |
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典型设备9：金属有机物化学气相淀积 功能用途：MOCVD三五族外延 设备型号：Aixtron CCS200 主要性能参数： 1. EPI GaAs,InP,InGaAs,InAs,InGaP etc 2. GaAS WIW NU: <=2%;WTW NU: <= 2% |
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典型设备10：超高真空化学气相淀积 功能用途：GeSi外延 设备型号：ASM E2000 plus 主要性能参数： 1. Epi Si,SiGe,Ge 2. B,P doping in process |
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服务项目
1、集成电路先导工艺技术
可支持体硅，SOI衬底的FinFET(三维鱼鳍型晶体管)，纳米线，非铜制程的逻辑集成电路器件的设计和工艺集成技术研发。
2、硅光集成
可提供MPW和定制化开发。具备器件设计能力，具有0.18μm，有源、无源器件工艺集成能力。
3、光电二极管
Si基探测器已实现批量制造，可对外提供产品；SiGe探测器正在研发中。
4、生物芯片
支持石英衬底、悬空薄膜类生物芯片产品的研发和小批量生产。
5、电源管理/功率器件
具有DMOS(双扩散金属氧化物半导体)、BCD(单片集成功率器件)、SiC(碳化硅)器件开发能力。
6、MEMS工艺集成技术
可支持压力、加速度计、FBAR滤波器、非制冷红外探测器、多光谱滤波器的研发。
7、特色工艺技术
支持以Hf基材料为核心的RRAM(阻变存储器)、FERAM(铁电存储器)、负电容等新型器件的研发。可提供磁性存储器研发；具备异质外延和晶圆键合能力，可支撑GeOI，SOS等特种衬底小批量供货。
8、技术实训
可提供基于真实工业生产环境下的技术理论+实地操作技术实训；实训课程内容可定制。
9、装备及材料验证
可为集成电路装备、材料厂商提供评估、验证及工艺开发的技术服务。
所级公共技术中心