中心简介
北京市集成电路先导工艺工程技术研究中心（以下简称“工程中心”）依托于中国科学院微电子研究所组建，2011年6月被北京市科委正式认定，是在国家科技重大专项支持下建立、实验室按照工业化标准设计和建设、采用准工业化模式进行研发管理、并由国际化研发团队运作的国家级研发中心。
工程中心拥有一条完整的8吋集成电路先导工艺研发线，并兼容硅基光子器件、硅基MEMS器件等集成技术研发。研发线具备10纳米电子束光刻的研发能力和180纳米光学光刻的量产能力。工程中心现有150名研发人员，其核心团队来自世界著名的集成电路企业和研发机构，平均拥有超过10年的研发和科研管理经验。工程师团队均有5年以上的工业界研发或生产经验，另有在读博士、硕士研究生100余人。
作为我国集成电路先导工艺研究领域的中坚力量，工程中心面向未来5-10年集成电路技术的基础创新需求以及超前国内企业量产技术2代以上的技术探索和储备需求，联合北京大学、清华大学、复旦大学、中芯国际、武汉新芯等产学研用单位开展联合研发，四大主要研究方向包括：
● 集成电路创新技术
● 集成电路计算光刻与设计优化
● 光子器件与集成技术
● MEMS器件及系统
在国家02科技重大专项的支持下，工程中心实现了22纳米技术节点CMOS、高K栅介质/金属栅工程、16/14纳米技术节点的FinFETs、5纳米及以下技术节点纳米线和堆叠纳米片器件等关键技术的突破，研究水平迈入世界前列；提出了“专利指导下的研发战略”，在关键工艺模块上形成了较为系统的知识产权布局（专利2024项，含国际专利607项），部分关键专利被Intel、IBM、台积电、三星等国内外半导体领先企业广泛引用和部分应用。其中，FinFET等关键技术专利质量位居国际先进行列，被国家知识产权局评为专利发明金奖。科研成果首次实现了向国内大型集成电路制造与装备企业的专利技术转移和转化。先后获得“国家技术发明二等奖”、“中科院杰出成就奖”等多项奖项。目前与中芯国际等企业紧密合作，开展了针对新一代7纳米FinFET先导产品工艺的研发，并组织国内优势科研单位开展了面向5纳米及以下技术节点的先导技术研究。
机构设置