碳基电子器件与异质融合芯片

       以金刚石、碳纳米管为代表的碳基材料正成为当前电子器件研究热点，如何利用碳基材料与传统材料的差异化优势，通过异质融合实现电子器件在功率、效率、集成度等方面的跨越式提升，是未来值得期待的方向。  

　　中心瞄准碳基电子器件与异质融合技术前沿，在碳基射频电子器件与异质融合方面取得了重要进展：碳纳米管肖特基二极管突破300GHz，金刚石与硅的异质融合的界面热导率突破85.9 MW/m²K，键合率大于90%；初步实现金刚石与氮化镓、碳化硅、氧化镓等宽禁带半导体异质集成，并逐渐在外延材料和器件上试用。  

　　代表成果：  

　　1. A Novel Strategy for GaN-on-Diamond Device with a High Thermal Boundary Conductance,Journal of Alloys and Compounds,Volume 905, 5 April 2022,  

　　2. Direct Bonding Method for Completely Cured Polyimide by Surface Activation and Wetting,MATERIALS ,15,7;APR 2022.  

　 3. Low-temperature bonding of surface-activated polyimide to Cu Foil in Pt- catalyzed formic acid atmosphere,J Mater Sci: Mater Electron (2022) 33:2582–2589