陆芃

　　陆芃，博士，副研究员，硕士生导师。2020年于美国加利福尼亚大学洛杉矶分校电子与计算机工程系获得博士学位，师从Jason C. S. Woo教授（现任DARPA 3D SoC与LTLT项目主管）；现任中国科学院微电子研究所副研究员、中国科学院青年创新促进会会员、中国科学院培育人才、新型器件技术课题组组长，主要从事先进半导体器件设计与辐射效应研究，重点开展碳纳米管场效应晶体管辐射效应与加固技术研究。发表SCI论文20余篇，申请发明专利5项。最新研究成果发表在Small, ACS AMI, APL，IEEE TED等期刊及IEEE NSREC，RADECS等辐射效应研究国际顶会中。主持国家自然科学基金面上项目、中国科学院基础培育项目等7项，作为骨干参与多项科研项目。 

　　招生/招聘信息：  

　　课题组每年招收博士/硕士研究生，常年招聘先进半导体器件设计与辐射效应研究及其相关方向的博士后、助理研究员、副研究员、研究员，同时也非常欢迎感兴趣的本科生参与科研。详情请咨询lupeng@ime.ac.cn。  

　　研究方向：先进半导体器件设计与辐射效应研究。