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专利

专利名称 发明人 申请号 申请日期
一种碳化硅薄膜的制备方法 饶志鹏,万军,夏洋,李超波,刘键,陈波,黄成强,石莎莉,李勇滔; 201110287216.7 2011-09-26
一种金刚石的制备方法 饶志鹏,万军,夏洋,李超波,刘键,陈波,黄成强,石莎莉,李勇滔; 201110287391.6 2011-09-26
一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法 刘键,饶志鹏,万军,夏洋,李超波,陈波,黄成强,石莎莉,李勇滔; 201110287076.3 2011-09-23
一种碳纳米管的制备方法 刘键,饶志鹏,万军,夏洋,李超波,陈波,黄成强,石莎莉,李勇滔; 201110287073.X 2011-09-23
一种石墨的制备方法 夏洋,饶志鹏,万军,刘键,李超波,陈波,黄成强,石莎莉,李勇滔; 201110287045.8 2011-09-23
一种金刚石的制备方法 夏洋,饶志鹏,万军,刘键,李超波,陈波,黄成强,石莎莉,李勇滔; 201110287041.X 2011-09-23
一种检测存储单元漏电流的方法及系统 杨诗洋,陈岚,陈巍巍,龙爽; 201110391548.X 2011-11-30
一种位线选通装置和选通方法 陈巍巍,龙爽,陈岚,杨诗洋; 201110445196.1 2011-12-27
制造硅通孔的方法 宋崇申; 201110343866.9 2011-11-03
一种掺氮碳纳米管的制备方法 夏洋,饶志鹏,万军,刘键,李超波,陈波,黄成强,石莎莉,李勇滔; 201110286947.X 2011-09-23
一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 夏洋,饶志鹏,万军,刘键,李超波,陈波,黄成强,石莎莉,李勇滔; 201110286896.0 2011-09-23
一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法 夏洋,饶志鹏,万军,李超波,陈波,黄成强,刘键,石莎莉,李勇滔; 201110285826.3 2011-09-23
一种金属纳米晶存储器的制备方法 刘明,许中广,霍宗亮,朱晨昕,刘璟,张满红,谢常青; 201110429391.5 2011-12-20
一种金属纳米晶存储器 刘明,许中广,朱晨昕,霍宗亮,谢常青,张满红; 201110429608.2 2011-12-20
一种基于压缩编码的频域均衡装置及方法 吴凯,管武,梁利平; 201110375038.3 2011-11-23