“氧化物阻变存储器机理与性能调控”项目荣获2016年国家自然科学二等奖

国家科学技术奖励大会于2017年1月9日上午在北京人民大会堂隆重举行。微电子所独立完成的“氧化物阻变存储器机理与性能调控”项目获得2016年国家自然科学二等奖。  

“氧化物阻变存储器机理与性能调控”项目主要完成人为刘明、刘琦、管伟华、龙世兵、王艳。高性能存储是信息技术的基础，本项目针对新型氧化物阻变存储技术中的基础科学问题开展了系统研究，主要科学发现包括在纳米尺度揭示了阻变机理、发现了功能层掺杂调控存储性能的规律、提出了局域电场增强器件参数一致性的方法。8篇代表性论文和20篇主要论文分别被SCI他引750次、1158次，作为典型进展被写入15本著作和40篇综述，成功研制了基于HfO2的1kb 阻变存储器测试芯片，相关专利已授权/许可给中芯国际和武汉新芯。