微电子所铪基铁电FeRAM存储器芯片完成空间实验

随着航天装备对高性能存储器的迫切需求，传统存储技术面临瓶颈，国产FeRAM的突破有望为航天装备的高效稳定运行提供全新解决方案。

中国科学院微电子研究所罗庆研究员团队研发了Mbit容量抗辐照铪基FeRAM存储器芯片MCF08M433。该产品采用掺杂HfO₂基铁电材料，解决了传统铁电材料与CMOS工艺兼容性差、尺寸微缩难等难题，并通过抗辐照加固技术实现了优异的抗辐照性能。该芯片具有高可靠、高速率、低功耗、抗辐射能力强等特点。2024年1月至今，该芯片已完成空间实验，验证其对程序、配置参数或运算数据的可靠存储，证明了其在极端环境下的可靠性，可满足航天领域需求。