王守武（1919.3.15-2014.7.30），半导体器件物理学家，江苏苏州人。

　　1919年3月15日生于江苏苏州，1936年至1941年就读于同济大学机电系，获学士学位；1945年至1949年就读于美国普渡大学获硕士、博士学位；1950年回国参加新中国建设，1960年加入中国共产党，1979年荣获“全国劳动模范”称号，1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。任第三、四届全国人大代表，第五、六、七届全国政协委员。1980年至1985年任中科院109厂（现微电子所）厂长，1986年起任中科院微电子中心（现微电子所）名誉主任，中科院微电子研究所名誉所长。2014年7月30日逝世，享年95岁，骨灰安放于八宝山革命公墓。

　　主要科研成就

　　著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一

　　1952年7月，与同事一起安装调试成功中国第一台电子显微镜。

　　1956年 参与“全国十二年科学技术发展远景规划”的制定工作，参与制定了半导体发展十二年规划；11月，研制成功我国第一只晶体三极管。

　　1957年 设计并指导制作我国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉；11月，拉制成功我国第一根锗单晶；领导半导体研究室研制成功我国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术。

　　1958年7月，拉制成功我国第一根硅单晶；参与成立了我国第一个晶体管工厂—109厂。

　　1959年 领导109厂为109乙型计算机提供了多品种、批量的锗高频合金扩散晶体管。

　　1963年 9月，“用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命”成果获中国科学院第一批奖励发明项目三等奖；12月，成功研制我国第一只半导体受激发光器。

　　1965年 4月，研制出的硅平面器件通过中国科学院院级鉴定。

　　1966年8月，领导半导体所和109厂为我国首台组件计算机—156工程样机研制和生产了组件。

　　1975年 建成一条230平方米的超净试验线。

　　1978年 领导研制的室温同质结脉冲GaAs激光器、大气光通信与半导体激光器荣获全国科技大会奖。

　　1979年9月28日，研制成功4千位MOS动态随机存储器，为国内最高水平；12月，“N沟MOS4千位动态随机存储器提高管芯成品率的研究”获中国科学院科研成果奖一等奖。

　　1980年 研制出16千位RAM样品，其主要参数达到了国际同类产品水平，获中国科学院科研成果奖一等奖。

　　1986年 “集成电路大生产试验”获得国家计委科技攻关成绩显著表彰及中国科学院“六五”科技攻关重要贡献表彰。

　　1987年 “世界新技术革命和我国的对策”获国家科学技术进步奖二等奖。

　　1989年 与他人共同完成的“3微米LSI（大规模集成电路）中试线的建设”获1989年中国科学院科技进步奖二等奖。

　　1990年 集成电路中试生产线获中国科学院科技进步奖二等奖。

　　2000年 获何梁何利科学与技术进步奖。