| 论文编号: | TN215 TN31 |
| 第一作者所在部门: | 集成电路先导工艺研发中心(十室) |
| 论文题目: | 基于SOISi片的二极管红外探测器 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 何伟;陈大鹏;明安杰;黄卓磊;欧毅;焦斌斌;薛惠琼 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 微纳电子技术 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 46 |
| 期: | 9 |
| 页: | 5，525-529 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 介绍了红外热成像技术的几种技术方案，重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术。通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOISi片流片和测试，分别得到了单晶Si二极管在固定偏置电流下的电压-温度响应特性，理论分析、模拟和实测结果三者吻合很好。在1μA的偏置电流下，单个二极管的温度灵敏度分别为1．40，1．35和1．52mV／K，三者的差别主要是由于理论分析和ISE-TCAD软件模拟中没有考虑欧姆接触电阻和引线电阻等串联电阻。[著者文摘] |
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| 外单位作者单位: | |
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