| 论文编号: | 172511O120100141 |
| 第一作者所在部门: | 一室一组 |
| 论文题目: | 辐照对PDSOI RFMOS体接触结构器件性能的影响 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 刘梦新 |
| 论文出处: | EI收录 |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2010 |
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| 影响因子: | 0.284 |
| 摘要: | 基于抗辐照加固0.35μmPDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件，研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响。在其静态工作模式下，分别考虑了辐照对器件转移特性、泄漏电流、跨导及输出特性的影响；在其交流工作模式下，分别考虑了辐照对其交流小信号电流增益、最大有效/稳定增益、截止频率和最高震荡频率的影响。实验结果表明，与同类非加固工艺器件相比，此种PDSOI RF NMOS抗辐照性嫩更好，其中以LBBC和LTS型体接触器件受电离总剂量辐照影响最小，并且可获得截止频率22.39GHz和最高震荡频率29.19GHz。 |
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| 外单位作者单位: | |
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