| 论文编号: | 172511O120100205 |
| 第一作者所在部门: | 二室四组 |
| 论文题目: | 用SOI技术提高CMOS SRAM的抗单粒子翻转能力 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 赵凯 |
| 论文出处: | 其他国内刊物 |
| 刊物名称: | 信息与电子工程 |
| 年: | 2010 |
| 卷: | 8 |
| 期: | 2 |
| 页: | 91-95 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.258 |
| 摘要: | 提高静态随机存储器(SRAM)的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力，作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基SRAM芯片的抗单粒子翻转能力，突破了SOI CMOS加固工艺和128 kb SRAM电路设计等关键技术，研制成功国产128 kb SOI SRAM芯片。对电路样品的抗单粒子摸底实验表明，其抗单粒子翻转线性传输能量阈值大于61.8 MeV/ (mg/cm2)，优于未做加固设计的体硅CMOS SRAM。结论表明，基于SOI技术，仅需进行器件结构和存储单元的适当考虑，即可达到较好的抗单粒子翻转能力。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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