| 论文编号: | 172511O120100288 |
| 第一作者所在部门: | 八室一组 |
| 论文题目: | 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究 |
| 作者: | 李超波 |
| 论文出处: | 其他国内刊物 |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2010 |
| 卷: | 35 |
| 页: | 129-131 |
| 影响因子: | 0.284 |
| 摘要: | 自等离子体浸没注入技术被提出以来，该技术在材料表面改性方面具有广泛的应用。近年来 该技术被用于32nm以下技术节点中的超浅结制作。与束线离子注入技术相比，该技术注 入效率更高成本更低。设计了一套用于超浅结制作的等离子体浸没注入系统，该系统基于感 应耦合等离子体技术。用该系统进行的超浅结注入实验结果表明，注入深度可以达到10ｎｍ以内（@1×10E18/cm3），注入陡峭度可以达到2.5nm/decade,注入离子剂量达到1 ×10E15/cm2。 |
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